Halbleitervorrichtung und herstellungsverfahren einer halbleitervorrichtung

Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung (1) und ein Herstellungsverfahren fur eine Halbleitervorrichtung (1), wobei die Halbleitervorrichtung (1) eine Halbleiterschicht (2) und eine auf einer Oberflache der Halbleiterschicht (2) angeordnete Passivierungsschicht (3) zur Passivierung der Halbleiterschichtoberflache (20) umfasst, wobei die Passivierungsschicht (3) eine chemisch passivierende Passivierungsteilschicht (31) und eine feldef fektpassivierende Passivierungsteilschicht (33) umfasst, welche auf der Halbleiterschichtoberflache (20) ubereinander angeordnet sind. Die Halbleitervorrichtung ist bevorzugt eine Solarzelle.