結晶成長速度制御方法、化合物結晶とその製造方法、および半導体デバイスの製造方法

【課題】１０ＭＰａ以下の低圧または常圧において化合物ＡＢＸをイオン性溶媒に溶解した溶液中で化合物ＡＸを結晶成長させ、良質な化合物結晶を工業的に安く製造する方法を提供する。 【解決手段】原料となる複合化合物ＡＢＸを、高温で金属ハロゲン化物等のイオン性溶媒に溶解した後、結晶成長に使われない溶質成分ＢＸを蒸発等により除去し、溶液中の溶質成分ＢＸの濃度を調整することによって、化合物ＡＸの結晶成長速度を制御する。ここで、ＡとＸは組み合わせは限定され、（ｉ）Ａが第１３族金属元素であり且つＸが第１５族元素であるか、（ii）Ａが第１２族金属元素であり且つＸが第１６族元素であるか、または、（iii）Ａが第１４族元素であり且つＸが炭素元素である。 【選択図】なし