Einfluß heißer Ladungsträger auf die Donator‐Akzeptor‐Paar‐Rekombination

Der Einfangquerschnitt σ = AR2, wie er ublicherweise bei der Berechnung der Donator-Akzeptor-Paar Rekombination Verwendung findet, wird in einer modifizierten Form unter Berucksichtigunng des direkten Einfangs heiser Elektronen eingefuhrt. Die anregungsabhangige Verschiebung der energetischen Lage des Emissionsbandenmaximums der Donator-Akzeptor-Paar Rekombination erweist sich als geeignete Sonde, um den Einflus hoch angeregter Elektronen auf den Ladungstragereinfang zu studieren. Es wird gezeigt, das sich der Einfang heiser Elektronen in einer anregungsabhangigen Peakverschiebung bemerkbar machen kann. The capture cross section σ = AR2 usually applied in calculations concerning the donoracceptor pair recombination has been used in a modified form, taking into account a contribution of resonant capture of hot carriers. To study the influence of highly excited electrons the donor-acceptor pair transition serves as suitable probe because of the appreciable peak energy shift of the main emission band with increasing excitation. It is shown, that resonant capture of hot carriers contributes to this peak energy shift.