Amélioration de stabilité de transistor à couches minces à oxyde métallique

La presente invention concerne un transistor a couches minces a oxyde metallique incorporant des couches de silicium reduit en hydrogene et des procedes destines a leur fabrication. Le transistor a couches minces peut inclure un substrat, une couche semi-conductrice a oxyde metallique, une couche d'interface de canal pratiquement exempte d'hydrogene et une couche d'encapsulation comprenant du silicium forme sur la couche d'interface de canal. Le procede de fabrication d'un transistor a couches minces peut inclure la deposition d'une couche semi-conductrice a oxyde metallique sur un substrat, l'activation d'un gaz de deposition comprenant SiF 4 pour creer un gaz de deposition active, la distribution du gaz de deposition active au substrat pour deposer une couche d'interface de canal comprenant SiOF et la deposition de la couche d'encapsulation sur la couche d'interface de canal et la couche de transistor a couches minces a oxyde metallique.