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14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
2003
mei hokazono
kazuya oouti
mariko takayanagi
yumi watanabe
tosiyuki umakosi
zenkou katou
takasi simizu
sinzi mori
hideki koguma
ä¿è¡ ä½ã æ¨
hisao yosimura
kiyotaka miyano
nobuaki yasutake
hiroyuki sudou
kan na adati
taisin fukui
takesi watanabe
naoki tamaki
yosiaki toyosima
hidemi isiuti
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