Фазовый состав, электропроводность, термо-ЭДС кобальтитов-галлатов самария SmCo 1-xga xo 3

Керамическим методом получены образцы кобальтитов-галлатов самария SmCo 1x Ga x O 3. Определены параметры их кристаллической решетки. в интервале температур 300-1050 К на воздухе исследованы температурные зависимости электропроводности и термо-ЭДС. Установлено, что в твердых растворах SmCo 1x Ga x O 3 увеличение степени замещения ионов Co 3+ ионами Ga 3+ приводит к значительному уменьшению удельной электропроводности: от 27 См/см для SmCoO 3 до 0,16 См/см для твердого раствора с х = 0,5 (при Т = 850 К). Температурные зависимости коэффициента термо-ЭДС показывают, что все образцы SmCo 1x Ga x O 3 являются полупроводниками pтипа. Установлено, что образец SmCo 0,5Ga 0,5O 3 имеет высокое значение коэффициента термо-ЭДС (3000 мкВ/К) при температуре 650 К.By means of a ceramic method the samples of samarium cobaltites-gallates were prepared. Parameters of their crystal lattice were determined. Temperature dependencies of electrical conduction and thermo-EMF were investigated in air at 300-1050 K. It is found that in SmCo 1x Ga x O 3 solid solutions increase of substitution degree of Co 3+ ions by Ga 3+ ions leads to the essential decrease of conductivity: from 27 S/cm for SmCoO 3 to 0,16 S/cm for solid solution with х = 0,5 (at Т = 850 K). Temperature dependencies of the thermo-EMF coefficient show that all the SmCo 1x Ga x O 3 samples were semiconductors of p -type. It is stated that the SmCo 0,5Ga 0 , 5O 3 sample had a high thermo-EMF coefficient value (3000 μV/K) at 650 K.