Nanostructured semiconductor light emitting element

Es wird eine lichtemittierende Nanostruktur-Halbleitervorrichtung bereitgestellt, umfassend eine Basisschicht, gebildet aus einem Halbleiter von einem ersten Leitfahigkeitstyp, eine erste isolierende Schicht, die auf der Basisschicht angeordnet ist und eine Mehrzahl von ersten Offnungen aufweist, die Teilregionen der Basisschicht freilegen, eine Mehrzahl von Nanokernen, die in den freiliegenden Regionen der Basisschicht angeordnet sind und aus dem Halbleiter vom ersten Leitfahigkeitstyp gebildet sind, eine auf Oberflachen der Mehrzahl von Nanokernen, die hoher angeordnet sind als die erste isolierende Schicht, angeordnete aktive Schicht, eine zweite isolierende Schicht, die auf der ersten isolierenden Schicht angeordnet ist und eine Mehrzahl von zweiten Offnungen aufweist, die die Mehrzahl von Nanokernen und die auf den Oberflachen der Mehrzahl von Nanokernen angeordnete aktive Schicht umgibt, und eine Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfahigkeitstyp, die auf der Oberflac he der aktiven Schicht angeordnet ist, die hoher angeordnet ist, als die zweite isolierende Schicht.