Determination of the Indirect Exciton Energy Gap of GaP Using Thermomodulation in the Temperature Range 80 to 350 K

Thermoabsorption studies were performed of the first indirect band edge of n-GaP in the temperature range from 80 to 350 K. The energy of the indirect exciton bandgap and its temperature dependence are determined from the thermoabsorption spectra. The temperature dependence is fitted to Varshni's equation as well as to an expression containing the Einstein-Bose statistical factors for phonon absorption and emission. The energies of the involved phonons are deduced from the energy difference between the transitions with absorption and emission of a particular phonon: E(TA) = (13.2 ± 0.2) meV, E(LA) = (29.6 ± 0.7) meV, and E(TO) = (43.5 ± 0.3) meV. Thermoabsorptionsuntersuchungen an der ersten indirekten Bandkante von n-GaP-Proben im Temperaturbereich von 80 bis 350 K wurden durchgefuhrt. Die indirekte exzitonische Bandlucke und deren Temperaturabhangigkeit konnen aus den Thermoabsorptionsspektren gewonnen werden. Die Temperaturabhangigkeit wird sowohl mit Hilfe der Varshni-Gleichung angepast, als auch mit einem Ausdruck, der die Einstein-Bose-Faktoren fur Phononenabsorption und -emission enthalt. Die Energien der an den Ubergangen beteiligten Phononen konnen aus der Energiedifferenz zwischen den Ubergangen unter Absorption und Emission eines Phonons zu E(TA) = (13,2 ± 0,2) meV, E(LA) = (29,6 ± 0.7) meV, und E(TO) = (43,5 ± 0,3) meV ermittelt weerden.