Procede de croissance selective sans catalyseur sur une structure semiconductrice

Procede de croissance selective sans catalyseur sur une structure semiconductrice. Selon ce procede, qui s'applique notamment en electronique, on forme une structure semiconductrice (12) a partir de premiers flux gazeux ou moleculaires; en meme temps ou de facon decalee, on ajoute a ceux-ci au moins un deuxieme flux gazeux ou moleculaire, pour faire croitre selectivement et in situ une couche dielectrique (14) sur la structure; puis on fait croitre sur celle-ci une autre structure semiconductrice (16) a partir de troisiemes flux gazeux ou moleculaires.