Del a nitrure de groupe iii avec couche de revetement non dopee

La presente invention concerne une structure a semi-conducteur pour dispositifs lumineux pouvant emettre dans la region rouge a ultraviolet du spectre electromagnetique. La structure a semi-conducteur comprend une couche active en nitrure de groupe III (13) disposee entre une premiere couche de revetement en nitrure de groupe III de type n (11) et une deuxieme couche de revetement en nitrure de groupe II de type n (12), les bandes interdites respectives des premiere et seconde couches de revetement de type n etant plus grandes que la bande interdite de la couche active. Par ailleurs, cette structure a semi-conducteur comprend une couche en nitrure de groupe III de type p (18) disposee dans de telle sorte que la deuxieme couche de revetement de type p (12) se trouve entre la couche de type p (18) et la couche active (13).