Silicon carbide: analysis of a breakthrough

1994 
De nouveaux transistors, pouvant controler des puissances bien superieures a l'etat de l'art actuel, verront bientot le jour. Ils ne seront pas fait en silicium ou en arseniure de gallium car ces materiaux sont utilises beaucoup trop pres de leurs limites physiques ultimes. Le carbure de silicium (SiC) est le meilleur candidat aujourd'hui pour realiser ce saut technologique. Le carbure de silicium est un cristal semiconducteur a grande bande interdite. Ses proprietes physiques (champ electrique de claquage, vitesse de saturation, conductivite thermique, etc.) en font un materiau sans rival pour un grand nombre d'applications de forte puissance et/ou a haute temperature
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