Lower copper content to reduce short circuits in AlCu lines

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Metallisierungsstruktur im Rahmen der Ausbildung eines mikroelektronischen Bauelements mit folgenden Verfahrensschritten: (a) Aufbringen einer oder mehrerer Basisschicht(en), einer aus einer Aluminiumverbindung bestehenden Deckschicht, die eine metallische Legierung zum Verringern von elektrischen Kurzschlussen enthalt, die in elektrischem Kontakt mit der/den Basisschicht(en) steht; (b) Aufbringen, Bestrahlen und Entwickeln eines Fotolacks, wobei eine Fotolackstruktur auf der aus der Aluminiumverbindung bestehenden Deckschicht mit der metallischen Legierung zum Verringern von elektrischen Kurzschlussen zuruckbleibt; und (c) reaktives Ionenatzen zum Herstellen einer Leitung aus der Aluminiumverbindung mit der metallischen Legierung, wobei weniger Kurzschlusse auftreten als bei der Aluminiumverbindung ohne Kurzschluss-verringernde metallische Legierung.