Élément redresseur d'une architecture de réseau mémoire à points d'intersection

L'invention porte sur un materiau de memoire asymetriquement programme (tel qu'un electrolyte solide) s'utilisant en tant qu'element redresseur pour piloter des element de memoire resistifs symetriques ou quasi symetriques dans une architecture de memoire a points d'intersection. Un element d'electrolyte solide (SE) presente une resistance tres elevee a l'etat HORS et une resistance faible a l'etat EN (car il s'agit d'un filament metallique a l'etat EN). Ces attributs en font une diode quasi ideale. Pendant le passage de courant (pendant les operations de programmation/lecture/effacement) de l'element de memoire le materiau electrolyte solide est aussi programme pour passer a l'etat de faible resistance. L'etat final du materiau d'electrolyte solide revient a l'etat de resistance elevee tout en assurant que l'etat final du materiau d'electrolyte solide est bien l'etat desire.