Procede et dispositif de commande de tension de seuil de reseau par charge piegee dans l'isolation de tranchee

La presente invention concerne un dispositif a semi-conducteur et son procede de fabrication. Selon cette invention, une tranchee est produite dans un substrat semi-conducteur. Un revetement mince d'oxyde est de preference applique sur des surfaces de ladite tranchee. Un revetement de nitrure est applique dans la tranchee. La charge est piegee dans ledit revetement de nitrure. Dans un mode de realisation prefere de cette invention, la tranchee est remplie d'un oxyde, au moyen d'un processus HDP, afin d'augmenter la quantite de charge piegee dans le revetement de nitrure. Le remplissage d'oxyde est de preference realise directement sur le revetement de nitrure.