スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物膜の成膜方法、及びトランジスタ

【課題】欠陥量の少ない酸化物半導体膜を成膜することが可能なスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。または、欠陥量の少ない酸化物半導体膜を成膜する。 【解決手段】、酸化インジウム、酸化金属（該金属は、アルミニウム、チタン、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セシウム、ネオジム、またはハフニウム）、及び酸化亜鉛を混合し焼成した後粉砕して、多結晶Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、アルミニウム、チタン、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、ランタン、セシウム、ネオジム、またはハフニウム）粉体を形成し、多結晶Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物粉体と、酸化亜鉛粉体とを混合して混合物を形成し、混合物を成形して成形体を形成し、成形体を焼成するスパッタリングターゲットの製造方法である。 【選択図】図１