Transducteurs ultrasonores a semi-conducteur complementaire a l'oxyde de metal (cmos) et leurs procedes de formation

L'invention concerne des transducteurs ultrasonores a semi-conducteur complementaire a l'oxyde de metal (CMOS) (CUT) et des procedes pour former des CUT. Les CUT peuvent comprendre des transducteurs ultrasonores monolithiques et des circuits integres destines a fonctionner en connexion avec les transducteurs. Les CUT peuvent etre utilises dans des dispositifs ultrasonores, tels que des dispositifs d'imagerie ultrasonore et/ou des dispositifs a ultrasons concentres a haute intensite (HIFU).