Transistor a effet de champ et a heterojonction.

Un procede de fabrication d'un transistor a effet de champ et a heteroj onction comprenant une structure semiconductrice en couches superposees, comprenant; prevoir sur une couche substrat (1) une couche tampon (2), une couche canal (3) et une couche barriere (4), realisees dans des materiaux a cristal hexagonal de type Ga (1-p-q) Al (p) In (q) N, former une ouverture dans une couche de masquage dielectrique (5) deposee sur la couche barriere, faire croitre par epitaxie a haute temperature un materiau semiconducteur a cristal hexagonal (6, 6') Ga (1-X'-y') Al (X') In (y') N dope au Germanium, sur une zone de croissance definie par l'ouverture formee dans la couche de masquage, deposer une electrode de contact de source ou drain (15, 16) sur le materiau ainsi depose par epitaxie, et une electrode de grille (13) a un emplacement en dehors de la zone de croissance.