退火温度对PECVD法制备SiO 2 /Si 3 N 4 光学薄膜性能的影响

基于多层光学薄膜的基本原理及算法，采用等离子体增强化学气相沉积方法在GaAs衬底上制备SiO2/Si3N4双层减反射膜，通过原子力显微镜（AFM）、傅里叶变换红外光谱仪（FT-IR）、椭圆偏振仪、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱分析（XPS）、紫外-可见分光光度计对薄膜的形貌、结构及光学性能进行表征，研究不同退火温度对薄膜性能的影响。结果表明：退火前后薄膜均为结晶态；随着退火温度升高，薄膜反射率及粗糙度逐渐降低，700℃时薄膜平均反射率及粗糙度最低，分别为12.65%和1.64 nm；退火后光谱曲线往短波方向移动了30 nm，呈现典型的'蓝移'现象，表明退火后薄膜光学厚度逐渐降低。