Procede de fabrication de nitrure de gallium monocristallin

Procede de fabrication d'un article en nitrure de gallium Ga*N monocristallin (10) comprenant les etapes suivantes: preparation d'un substrat (20) en materiau cristallin, dont la surface (16) est epitaxialement compatible avec Ga*N; depot d'une couche de Ga*N monocristallin (26) sur la surface du substrat; suppression par attaque chimique du substrat depuis la couche de Ga*N monocristallin, afin d'obtenir ledit article constitue par ladite couche. L'invention concerne des articles de Ga*N monocristallin non epitaxies pouvant s'utiliser en tant que substrats dans la fabrication de structures microelectroniques, ainsi que des dispositifs microelectroniques comprenant ces substrats non epitaxies et leurs structures de precurseurs.