基于两步退火法提升Al/n + Ge欧姆接触及Ge n + /p结二极管性能

锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件. 本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法, 结合磷离子注入, 制备Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管. 通过电流-电压特性测试来研究Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管的性能, 测试结果表明: 低温预退火可初步修复注入损伤, 并降低激光退火时杂质的扩散深度; 结合离子注入工艺和两步退火工艺, Al/n+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61 × 10–6 Ω·cm2, Ge n+/p结二极管在 ± 1 V的整流比提高到8.35 × 106, 欧姆接触及二极管性能均得到了显著提升.