Aspects particuliers des courbes C(V) et de la densite apparente d'etats a l'interface SiO2 thermique — Si des structures mos d'orientation superficielle 〈111〉.

Resume On montre que les courbes tres basse frequence C BF ( V ) et haute frequence C HF ( V ) des structurea MOS f'orientation 〈111〉 ont un aspect tres different des structures 〈111〉 elaborees dans he dans Ls memes conditions. Ces particularites peuvent s'interpreter par l'existence de defauts du type donneur, situes dans le silicium au voisinage de l'interface 〈111〉 et introduisant un niveau profond en E V + 0,35 eV .