Équipement et procédé de traitement au plasma, fenêtre diélectrique pour une utilisation dans ceux-ci et procédé de fabrication

La presente invention concerne un dopage au plasma montrant une excellente uniformite. Tandis qu’un gaz predetermine est introduit dans un recipient sous vide (1) a partir d’unites d’alimentation en gaz (2, 16), le recipient sous vide (1) est vide par l'intermediaire d’une ouverture d’evacuation (11) au moyen d’une pompe turbomoleculaire (3) formant dispositif d’evacuation et une pression predeterminee est maintenue dans le recipient sous vide (1) au moyen d’une soupape de regulation de pression (4). Un plasma a couplage inductif est genere dans le recipient sous vide (1) en fournissant une puissance haute frequence de 13,56 MHz a partir d’une alimentation en puissance haute frequence (5) vers une bobine (8) se trouvant a proximite d’une fenetre dielectrique (7) opposee a une electrode echantillon (6). La fenetre dielectrique (7) consiste en une pluralite de plaques dielectriques et une rainure est formee dans au moins un cote d’au moins deux plaques dielectriques se faisant face. Un canal de gaz est forme par la rainure et les surfaces plates opposees de celle-ci, et des ouvertures d’alimentation en gaz (15, 19) formees dans une plaque dielectrique plus pres de l’electrode echantillon peuvent communiquer avec la rainure dans la fenetre dielectrique. Le debit du gaz introduit a partir des ouvertures d’alimentation en gaz (15, 19) peut etre controle independamment et l’uniformite du traitement peut etre amelioree.