Structure semi-conductrice en materiaux a differentes constantes de reseau cristallin et son procede de fabrication

La presente invention a trait a une structure semi-conductrice (10) comportant un substrat comprenant un premier materiau semi-conducteur detendu avec une premiere constante de reseau cristallin. Une couche de dispositif a semi-conducteur recouvre le substrat, la couche de dispositif a semi-conducteur comprenant un deuxieme materiau semi-conducteur detendu (22) avec une deuxieme constante de reseau cristallin differente de la premiere constante de reseau cristallin. En outre, une couche dielectrique est interposee entre le substrat et la couche de dispositif a semi-conducteur, la couche dielectrique comprenant une zone de transition programmee au sein de la couche dielectrique pour assurer une transition entre la premiere constante de reseau cristallin et la deuxieme constante de reseau cristallin. La zone de transition programmee comprend une pluralite de couches, adjacentes a celles de la pluralite de couches presentant differentes constantes de reseau cristallin avec une des couches adjacentes ayant une premiere epaisseur superieure a une premiere epaisseur requise pour la formation de defauts et une autre des couches adjacentes ayant une deuxieme epaisseur ne depassant pas une deuxieme epaisseur critique. Chaque couche adjacente de la pluralite de couches forme une interface pour stimuler la migration des defauts dans la zone de transition vers un bord de la zone de transition programmee et leur elimination. La presente invention a egalement trait a un procede de fabrication d'une telle structure.