オプトエレクトロニクスデバイスおよびエレクトロニクスデバイス用窒化アルミニウム、インジウム、ガリウム（（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ）自立基板のエピタキシー品質（表面凹凸および欠陥密度）の改良を実現する方法

例えば、自立性のＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上のＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルエピ層を備える、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造を記述する。ＩＩＩ族源物質と窒素源物質を使用し、Ｖ／ＩＩＩ比が約１〜約１０５の範囲、窒素源物質分圧が約１〜約１０３Ｔｏｒｒの範囲、成長温度が約５００〜約１２５０℃の範囲、成長速度が約０．１ミクロン／時〜約５００ミクロン／時の範囲のプロセス条件下、ＶＰＥ法でＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を堆積させることによって、対応するＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を形成する方法を含め、さまざまなプロセシング技術が開示されている。ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャルマイクロエレクトロニクスデバイス構造体は、ＵＶ　ＬＥＤ、高電子移動トランジスタなどのデバイス用途に、有用に利用可能である。