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Acemap > Paper > 27pXC-10 低温STM/STSによるInAs/GaSb超格子中の局所状態密度分布の層厚依存性(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

27pXC-10 低温STM/STSによるInAs/GaSb超格子中の局所状態密度分布の層厚依存性(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

2006 
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