Electrical Properties of Cd1−yZnyS and CdS(In) thin Films Prepared by Pyrolytic Spray Technique

The effects on the electrical properties of heat treatment in H2 of Cd1−yZnyS (0 ≦ y ≦ 0.15) and In-doped CdS spraying films are studied and also the influence of Zn concentration on the layer physical properties. The activation energy of the impurity level is computed from the slope of the dark resistance and the current versus temperature. It is found that the electrical and physical properties change remarkably when the Zn concentration increases. When crystallization is modified, the activation of the donor levels and the dark resistivity increase. After annealing, the resistivity decreases by about two orders of magnitude for all analyzed samples. This reduction is due to an increase in carrier concentration and Hall mobility and the removal of chlorine and oxygen from the grain boundaries. Die Einflusse einer H2-Temperung auf die elektrischen Eigenschaften von Cd1−yZnyS (0 ≦ y ≦ 0, 15) und In-dotierten CdS-Spruhschichten werden untersucht, sowie der Einflus der Zn-Konzentration auf die physikalischen Schichteigenschaften. Die Aktivierungsenergie des Storstellenniveaus wird aus dem Anstieg des Dunkelwiderstands und des Stroms als Funktion der Temperatur berechnet. Es wird gefunden, das sich die elektrischen und physikalischen Eigenschaften merklich andern, wenn die Zn-Konzentration ansteigt. Die Kristallisierung wird modifiziert, wobei die Aktivierung der Donatorni-veaus ansteigt und der Dunkelwiderstand zunimmt. Nach Temperung nimmt der Widerstand um etwa zwei Grosenordnungen bei allen analysierten Proben ab. Diese Abnahme wird durch ein Anwachsen der Ladungstragerkonzentration und Hallbeweglichkeit und die Beseitigung von Chlor und Sauerstoff von den Korngrenzen verursacht.