Couches epitaxiales de carbure de silicium sur des substrats tronçonnees vers

La presente invention concerne un couche epitaxiee sur une surface tronconnee d'un substrat cristallin de carbure de silicium a forme hexagonale de cristaux, presentant un angle de tronconnage d'environ 6 a environ 10 degres, vers le de la direction des cristaux du substrat. La couche epitaxiale de carbure de silicium obtenue presente des proprietes morphologiques et materielles superieures.