Фоточутливість і механізми проходження струму в поверхнево-бар’єрних структурах оксид-Cd0,96Zn0,04Te
2015
Методом термічного окислення в повітряному середовищі монокристалів Cd0,96Zn0,04Te за Т=570 оС отри-
мано поверхнево-бар’єрні структури оксид-Cd0,96Zn0,04Te. Досліджено їх стаціонарні вольт-амперні характерис-
тики та проаналізовано механізми проходження струму. Показано, що поверхнево-бар’єрні структури оксид-
Cd0,96Zn0,04Te проявляють фотовольтаїчні властивості. Особливістю спектрів фотонапруги є один вузький
максимум, положення якого відповідає енергії квантів світла hυ≈1,54 еВ, а ширина на половині висоти
становить ~120 меВ.; In this work photosensitive
oxide-Cd0,96Zn0,04Te surface-barrier structures of Cd0,96Zn0,04Te single crystals with p-type conductivity has been
produced and studied. Photosensitive surface-barrier structures were produced by heat-treatment of monocrystalline p-
Cd0,96Zn0,04Te plates in the air at temperature near 570 °C for t≈40 min. The stationary current-voltage characteristics of
these surface-barrier structures are studied. The current mechanisms and the photosensitivity processes of the structures
are being discussed. Rectification coefficient for the best structures, at a voltage close to the cutoff voltage (U0) was
~20. For these structures, the initial portion forward of the current-voltage characteristic is described with the
conventional diode equation. The reverse steady-state current-voltage characteristic of oxide-Cd0,96Zn0,04Te surfacebarrier
structures follows a power law with the m≈2,6 exponent. On the spectrum of photovoltage, there is one with a narrow peak width at half height of ~ 120 meV. The energy position of the maximum the photovoltage was equal to
hυ≈1,54 eV.
Keywords:
- Correction
- Source
- Cite
- Save
- Machine Reading By IdeaReader
0
References
0
Citations
NaN
KQI