Modélisation Large Bande de la Dispersion Fréquentielle de la Conductance de sortie et de la Transconductance dans les HEMTs AlInN/GaN

Un modele large bande de la dispersion frequentielle de la conductance de sortie et de la transconductance dans les HEMTs AlInN/GaN est presente dans cet article. Ce modele prend en compte tous les types de dispersion jusqu'aux frequences micro-ondes ainsi que le caractere distribue des constantes de temps des pieges a l'origine de ces dispersions. Il a ete valide en comparant les resultats de modelisation aux parametres experimentaux pour plusieurs conditions de polarisation.