Contacts ohmiques multicouches de haute reflexion pour dispositifs semiconducteurs emetteurs de lumiere

La presente invention concerne un contact ohmique de haute reflexion et hautement performant dans le domaine visible du spectre (400nm 750nm), qui presente le profil metallique multicouche suivant: on depose un materiau de contact ohmique fin et uniforme et ce dernier peut eventuellement etre allie a la surface du dispositif semiconducteur emetteur de lumiere. Puis on depose une couche reflecteur epaisse selectionnee dans un groupe constitue de Al, Cu, Au, Rh, Pd, Ag et de n'importe quelle combinaison multicouche sur ce materiau de contact ohmique.