Temperature-Dependent Photoluminescence from GaN/Si Nanoporous Pillar Array

GaN/Si nanoheterostructure 被种 wurtzite 准备与一个化学蒸汽免职方法在一个硅 nanoporous 支柱数组(Si-NPA ) 上轧了。GaN/Si-NPA 的光致发光(PL ) 的温度进化被测量， PL 机制被分析。PL 光谱基本上由二座狭窄的紫外山峰和一座宽广蓝山峰组成，这被发现，相应于近的乐队边排放轧并且它从 Si-NPA 的声子复制品，和排放。不轧了缺点相关的 PL 在同样准备的 GaN/Si-NPA 被观察。我们的实验证明 Si-NPA 可能是为准备的理想的底层高质量基于 Si 轧了 nanomaterials 或 nanodevices。