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Acemap > Paper > 65nm世代以降に適した新構造のSOIデバイスを開発 : 基板バイアス制御により, 20%の高速化と10分の1の低電力化を実現

65nm世代以降に適した新構造のSOIデバイスを開発 : 基板バイアス制御により, 20%の高速化と10分の1の低電力化を実現

2005 
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