Low dielectric constant films and manufacturing methods for these films, and electronic components using these films

Ein poroser Film mit einer spezifischen Dielektrizitatskonstante niedriger als 3 und einer Porositat zwischen 40% und 80% aufweisend zumindest feine Diamantpartikel mit einer Partikelgrose von 1 nm bis 1000 nm, wobei die Oberflache der feinen Diamantpartikel behandelt worden ist mit einer Mischung aus zumindest einer Substanz gemas der Gruppe (a) und zumindest einer Substanz gemas der Gruppe (b), die im Folgenden angegeben werden: (a) die Gruppe bestehend aus Dichlortetramethyldisiloxan, Dimethoxytetramethyldisiloxan, Tetrachlordimethyldisiloxan und Tetramethoxydimethyldisiloxan; (b) die Gruppe bestehend aus Hexachlordisiloxan, Hexamethoxydisiloxan und Hexaethoxydisiloxan.