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Acemap > Paper > プラズマ支援分子ビームエピタクシーによる6H-SiC(0001)基板上の平均GaNモル比が最高20%のAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長

プラズマ支援分子ビームエピタクシーによる6H-SiC(0001)基板上の平均GaNモル比が最高20%のAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長

2013 
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