Mechanism of fast expansion of optically-excited free carriers

A new explanation of the fast expansion of photogenerated free carriers in direct-bandgap semiconductors is given, based on the strong reabsorption of radiative band-to-band transitions which are greatly increased by stimulated emission. Eine neue Erklarung der hohen Ausbreitungsgeschwindigkeit von optisch generierten Elektron–Loch-Plasmen in Halbleitern wird gegeben, die zumindest fur Halbleiter mit direktem Bandubergang gilt: Im hochangeregten Teil des Kristalls wachst die strahlende Rekombination durch stimulierte Emission stark an, und im angrenzenden nichtangeregten Halbleiter werden durch die starke Reabsorption dieser Rekombinationsstrahlung neue Elektron–Loch-Paare erzeugt.