Transistor non autoaligne bipolaire a heterojonction sige

La presente invention concerne un procede de fabrication d'un transistor bipolaire non autoaligne a heterojonction comportant la formation de regions de base extrinseques (70) avec une implantation de source/drain a effet de champ de type p alignees avec le polysilicium dans un empilement d'emetteurs mais qui ne sont pas directement alignees avec une ouverture d'emission definie dans cet empilement. Cela est obtenu en realisant un socle (66) plus large que l'ouverture d'emission. Avantageusement, cela elimine la dependance d'alignement existant entre les regions de base extrinseques et l'ouverture d'emission, permettant ainsi la reduction des etapes de fabrication, des cycles thermiques, et une plus grande vitesse de fabrication.