Depot de couche atomique d'oxydes de terres rares et de metaux de transition a constante dielectrique elevee de grande qualite

L'augmentation du nombre de pulsations successives d'oxydant avant applications d'impulsions de metal precurseur permet d'ameliorer la qualite des films d'oxydes de metal ou de terre rare obtenus par ce procede. Ces films d'oxyde de metal ou de terre rare peuvent etre utilises pour des dielectriques de porte a constante dielectrique elevee. De plus, il peut etre avantageux de pulser l'oxydant pendant la periode de pre-stabilisation. Par ailleurs, l'utilisation pour l'oxydant d'un nombre de pulsations plus eleve que pour le metal precurseur peut avoir pour effet de reduire la teneur en chlore des les films ainsi obtenus.