ФОТОПРОВОДИМОСТЬ НИТЕВИДНЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ GaAs

Введение В настоящее время большой интерес исследо-вателей вызывают так называемые нитевидные нанокристаллы (ННК) полупроводников [1, 2]. Эти объекты представляют собой кристалличе-ские стержни диаметром от 30 до 200 нм и длиной до 3  5 мкм. Для их получения чаще всего ис-пользуются методы молекулярно-лучевой эпитак-сии (МЛЭ) и газофазной эпитаксии (ГФЭ) на под-ложках, активированных наноразмерными капля-ми металла (Au, Ga и др.) [3]. Рост ННК происхо-дит, как правило, по механизму пар–жидкость–кристалл (ПЖК) [4]. К настоящему времени полу-чены ННК на основе GaAs, AlGaAs, InP, InAs, GaN, Si, Ge, ZnO и др. [5]. Широкие возможности управления геометрическими параметрами, леги-рованием и составом ННК открывают перспекти-вы для реализации на базе массивов ННК широ-кого спектра приборов нано- и оптоэлектроники: наноразмерных транзисторов с малыми времена-ми переключения [6], биосенсоров [7], гибких и прозрачных дисплеев [8] и др. В частности, были реализованы фотоприемники и светодиоды на основе ННК из различных материалов [9]. Значи-тельным достижением стала демонстрация лазер-ной генерации в одиночных ННК при оптической накачке [10, 11]. Характерной особенностью ННК является малость типичных значений их радиуса R