Untersuchungen zur lokalen Struktur von Ge-Sb-Te-basierten Phasenwechselverbindungen und Einfluss der chemischen Substitution auf die opto-elektronischen Eigenschaften

Im Rahmen dieser Dissertation wurden Strukturuntersuchungen an den Ge-Sb-Te- basierten Phasenwechsellegierungen durchgefuhrt, um ein atomares Verstandnis des bisher nicht vollstandig verstandenen Schreib- und Loschvorgangs zu erhalten. Bei allen Phasenwechselverbindungen wird angenommen, dass im metastabilen kristallinen Zustand die NaCl-Struktur gebildet wird. Vor diesem Hintergrund wurden Rontgenbeugungsmessungen und hochauflosende Analysen mit Transmissionselektronenmikroskopie durchgefuhrt, um detaillierte Informationen uber die kristallinen Strukturen zu gewinnen. Erganzt wurden diese Analysen durch lokale Methoden (EXAFS, PDF), um den Einfluss der Leerstellenkonzentration auf den Umschaltvorgang herausarbeiten zu konnen. Zusatzlich wurden die elektrische Leitfahigkeit, die Ladungstragerkonzentration, Ladungstragerbeweglichkeit und der Seebeck-Koeffizient der Verbindungen bestimmt, um das Potential von Phasenwechsellegierungen als Thermoelektrika auszuloten. Durch die (teilweise) Substitution einzelner Elemente in den Phasenwechselverbindungen konnte ein besseres Verstandnis der Zusammenhange zwischen Stochiometrie, Struktur und physikalisch-chemischen Eigenschaften erarbeitet werden.Im Rahmen dieser Arbeit wird der Einfluss der partiellen Substitution von Te durch Se in Ge2Sb2Te5 und GeSb2Te4 sowie die vollstandige Substitution von Sb durch Bi in Ge2Sb2Te5 auf die strukturellen und opto-elektronischen Eigenschaften hin untersucht.