Transistor à nanofil cœur-enveloppe-enveloppe et son procédé de fabrication

L'invention porte sur un transistor a nanofil (NWT) de type cœur-enveloppe-enveloppe (CSS), le NWT comprenant un substrat avec une surface ; une nanostructure CSS cylindrique avec un cœur semi-conducteur, une enveloppe isolante entourant le cœur semi-conducteur, et une enveloppe conductrice entourant l'enveloppe isolante, la nanostructure CSS presentant un demi-cylindre inferieur chevauchant la surface de substrat ; une electrode de grille formee a partir de l'enveloppe conductrice dans une section centrale de la nanostructure CSS ; des amenees rentrantes isolantes situees entre la surface de substrat et le demi-cylindre inferieur de la nanostructure CSS dans la section centrale ; une bande de grille de film conducteur chevauchant l'electrode de grille et les amenees rentrantes dans la section centrale de la nanostructure CSS ; et des regions de source/drain (S/D) formees dans des regions exposees du cœur semi-conducteur, dans des sections d'extremite de la nanostructure CSS.