固体撮像装置、光検出器、および電子機器

【課題】赤外光の検出において、量産化および低コスト化を図ることができる。【解決手段】光電変換部は、FeS2層とZnS層とのヘテロ界面を多数有するMQW構造となっている。このMQW構造は、電子親和力xSとバンドギャップエネルギEgから、バンド構造が形成され、かつ、格子不整合率が1%以下とほぼ格子整合条件となる。また光電変換部のMQWの厚みを10nm以下とすることで、トンネル効果でキャリアが隣の井戸に移動可能となり、準位が多数存在するサブバンドが形成される。このとき、サブバンド間の遷移により、実効的にバンドギャップが狭くなる効果と同じになり、結果として、波長λ~3.7μmの中赤外IR光でも吸収が可能となり、長波長IR光を検知できることになる。本開示は、例えば、撮像装置に用いられるCMOS固体撮像素子に適用することができる。【選択図】図３