Influence des collisions nucléaires sur la linéarite des détecteurs à semiconducteurs
1969
On a determine le defaut de hauteur d'impulsion dans les diodes a barriere de surface bombardees par des ions He+, N+ et Ne + d'energies comprises entre 30 et 150 keV. L'influence des collisions nucleaires et de la canalisation des ions est plus specialement analysee.
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