Developpement d'un systeme expert technologique sur le test parametrique d'une filiere de circuits integres bipolaire silicium haute tension

L'objet de cette these est de developper un systeme expert qui interprete les resultats du test parametrique sur plaquette, en fin de fabrication de circuits integres silicium. Cette nouvelle approche doit permettre, sur le site de rennes de sgs-thomson microelectronics, d'avoir un retour d'information plus rapide sur la ligne de production afin d'augmenter la maitrise du procede de fabrication. Apres une description de la filiere technologique bipolaire haute tension etudiee, et du transistor bipolaire npn sur lequel est base le developpement du systeme expert, les proprietes des couches electriques et les modeles des parametres de ce transistor sont presentes. Ceci permet de relier les grandeurs electriques aux grandeurs physiques dues a la technologie de fabrication. La methodologie de test employee pour extraire ces parametres electriques du transistor bipolaire et l'analyse statistique des resultats permettent de degager les correlations liant les parametres entre eux. Ces correlations sont confrontees aux modeles theoriques pour confirmer l'interet des modeles choisis et permettre de degager les influences des parametres technologiques predominants. La suite est consacree a la structure et au mode de fonctionnement du systeme expert que nous avons developpe. L'ecriture des regles de connaissance etant la partie vitale du systeme, la derniere partie traite les differentes methodologies de construction de ces regles: analyse des correlations, des modes de defaillance en fabrication, des perturbations volontaires du procede de fabrication et du test d'un transistor pnp lateral. Cette etude a permis de demontrer que la methode de traitement envisagee est bien adaptee a un usage en production. De plus, elle permet de conserver la connaissance et elle peut s'etendre facilement a d'autres technologies de fabrication