Couche de passivation pour un dispositif à circuit et procédé de fabrication

Selon un mode de realisation du memoire, un procede est fourni pour effectuer une passivation d'un dispositif a circuit comprenant, de maniere generale, la fourniture d'un substrat ayant une surface de substrat, la formation d'un composant electrique sur la surface du substrat et le revetement de la surface du substrat et du composant electrique avec une premiere couche dielectrique protectrice. La premiere couche dielectrique protectrice est realisee a partir d'un materiau insoluble generalement humide ayant une permeabilite a l'humidite inferieure a 0,01 gramme/metre2/jour, une absorption de l'humidite inferieure a 0,04 pourcent, une constante dielectrique inferieure a 10, une perte dielectrique inferieure a 0,005, une resistance de tension de rupture superieure a 8 millions de Volts/ centimetre, une capacite de resistance de feuille superieure a 1015 ohm-centimetre et une densite de defaut inferieure a 0,5/ centimeter2.