Structure and electronic transport properties of the misfit layer compound (LaSe)1.14(NbSe2)2, LaNb2Se5

The new misfit layer compound (LaSe)1.14(NbSe2)2 has been synthesized from the elements at 1050- and its structure has been determined by a composite approach. The structure has an alternating stacking sequence of [LaSe] and two [NbSe2] layers along the c direction. The misfit of the two different layers is occurring along the a direction: a1(LaSe)=6.0191 A and a2(NbSe2)=3.4372 A therefore yielding a ratio of 1.751 which is very close to 7/4. An investigation of electrical resistivity was done. The crystal shows superconducting properties at 5.3 K. Struktur und elektronische Transporteigenschaften der „Misfit”-Schichtverbindung (LaSe)1,14(NbSe2)2, „LaNb2Se5”. Die neue „Misfit”-Schichtverbindung (LaSe)1,14(NbSe2)2 wurde aus den Elementen bei 1050°C dargestellt und ihre Struktur in mehreren Teilschritten bestimmt. Die Struktur besteht aus einer alternierenden Stapelfolge von [LaSe]- und zwei [NbSe2]-Schichten in c-Richtung. Der „Misfit” zwischen den zwei verschiedenen Schichten wird entlang der a-Richtung deutlich: a1(LaSe)=6,0191 A und a2(NbSe2)=3,4372 A, woraus sich ein Verhaltnis von 1,751 ergibt, das 7/4 sehr nahe kommt. Der elektrische Widerstand wurde in Abhangigkeit von der Temperatur gemessen. Die Kristalle zeigen supraleitende Eigenschaften ab 5,3 K.