Procede et appareil permettant le developpement de structures submicroniques de nitrures du groupe iii au moyen de techniques hvpe

L'invention se rapporte a un procede et a un appareil de fabrication de fines couches de nitrures du groupe III ainsi que des couches de nitrures du groupe III qui presentent des interfaces a angle vif entre couches. Conformement a un mode de realisation de l'invention, un reacteur d'epitaxy en phase vapeur par la methode aux hydrures (HVPE) comprend un ou plusieurs tubes d'admission de gaz adjacents a la zone de croissance, ce qui permet une regulation fine de l'apport des gaz reactifs a la surface du substrat. Conformement a un autre mode de realisation, un reacteur HVPE comprend a la fois une zone de croissance et une zone d'interruption de croissance. Conformement a un autre mode de realisation, un reacteur HVPE comprend une source de gallium a vitesse de croissance faible, ce qui permet de developper des couches minces. L'utilisation d'une source de gallium a vitesse de croissance faible en association a une source de gallium classique permet la fabrication, au cours d'un unique passage en four, d'une structure de dispositif qui comprend a la fois des couches epaisses (c'est-a-dire produites par la source de gallium classique) et des couches minces (c'est-a-dire produites par la source de gallium a vitesse de croissance faible).