Commutateurs de transistor à effet de champ au nitrure de gallium de grande puissance

La presente invention concerne un commutateur a radiofrequence monolithique de grande puissance comprenant un substrat, et des premier et second transistors a grande mobilite d'electrons au nitrure de gallium sur le substrat. Chacun des premier et second transistors a grande mobilite d'electrons au nitrure de gallium comprend respectivement une connexion de sortie de la source, une sortie de drain et une gâchette. La connexion de sortie de la source du premier transistor a grande mobilite d'electrons au nitrure de gallium est couplee a la sortie de drain du second transistor a grande mobilite d'electrons au nitrure de gallium, et la connexion de sortie de la source du second transistor a grande mobilite d'electrons au nitrure de gallium est couplee a la terre. Un coussinet d'entree RF est couple a la sortie de drain du second transistor a grande mobilite d'electrons au nitrure de gallium, un coussinet de sortie RF est couple a la connexion de sortie de la source du premier transistor a grande mobilite d'electrons au nitrure de gallium et a la sortie de drain du second transistor a grande mobilite d'electrons au nitrure de gallium.