Group III monochalcogenide of single-layered haeckelites structure MX ( M = Al, Ga, In; X = S, Se, Te)

通过详尽的第一性原理计算, 提出了一类新型的二维III族金属硫族化合物MX (M = Al, Ga, In; X = S, Se, Te)的同素异形体. 这类化合物的结构是由正方形和八边形环构成的. 计算得到的结合能和声子谱表明, 所有的结构都同时具有能量和动力学稳定性. 所有结构都是间接带隙半导体, 其带隙大小随X原子由S到Se到Te的变化而减小. 计算结果表明这类材料具有很广的带隙范围, 从1.88到3.24 eV, 同时它们的能带结构可以通过双轴应变进一步调节. 这些结构具有丰富的电子结构性质和可调的带隙, 有可能被用于未来纳米电子学领域.