Réaliser une sélectivité d'un dépôt de silicium ou de silicium-germanium sur un substrat de silicium ou silicium-germanium par dopage

L'invention porte sur un procede pour le depot selectif de Si ou SiGe sur une surface de Si ou SiGe. Le procede utilise des differences dans le comportement de surface physico-chimique conformement a une difference de dopage des premiere et seconde regions de surface. En appliquant a au moins une premiere region de surface un dopage de bore selon une plage de concentration appropriee et en exposant la surface du substrat a une atmosphere ambiante de nettoyage et de passivation lors d'une etape de precuisson a une temperature inferieure ou egale a 800°C, une etape de depot subsequente de Si ou SiGe ne conduira pas a un depot de couche dans la premiere region de surface. Cet effet est utilise pour le depot selectif de Si ou SiGe dans la seconde region de surface, qui n'est pas dopee par du bore selon la plage de concentration appropriee, ou qui est dopee avec un autre dopant, ou qui n'est pas dopee. Le procede economise ainsi une sequence de photolithographie courante necessaire pour le depot selectif de Si ou SiGe dans la seconde region de surface conformement a l'etat anterieur de la technique.