Cellule de memoire integree et procede de fabrication

L'invention concerne une cellule de memoire non volatile comprenant une paire de regions d'isolement par tranchees peu profondes espacees, formees dans un substrat et definissant une region active du substrat. Un dielectrique tunnel est forme sur la region active du substrat. Une grille flottante est formee sur le dielectrique tunnel et est auto-alignee entre les regions d'isolement par tranchees peu profondes espacees. Une couche dielectrique est formee sur la grille flottante et une grille de commande est formee sur la couche dieletrique. Une region source et une region drain sont formees dans la region active du substrat sur les cotes opposes de la grille flottante.